SI5858DU-T1-E3

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部品番号 SI5858DU-T1-E3
LIXINC Part # SI5858DU-T1-E3
メーカー Vishay / Siliconix
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SI5858DU-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 21 - Sep 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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SI5858DU-T1-E3 仕様

部品番号:SI5858DU-T1-E3
ブランド:Vishay / Siliconix
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Vishay / Siliconix
シリーズ:LITTLE FOOT®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:6A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):1.8V, 4.5V
(最大) @ id、vgs の rds:39mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:16 nC @ 8 V
vgs (最大):±8V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:520 pF @ 10 V
フェチ機能:Schottky Diode (Isolated)
消費電力 (最大):2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:PowerPAK® ChipFet Dual
パッケージ・ケース:PowerPAK® ChipFET™ Dual

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