参考まで
| 部品番号 | MRF8S26120HSR3 |
| LIXINC Part # | MRF8S26120HSR3 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 65V 2.69GHZ NI780S |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRF8S26120HSR3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 29 - Nov 02 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRF8S26120HSR3 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Obsolete |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 2.69GHz |
| 得: | 15.6dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 900 mA |
| 電力出力: | 28W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | NI-780S |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-780S |
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MW6S010GMR1 | FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW | 909 注文の詳細 |
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MRFE6S9200HR5 | FET RF 66V 880MHZ NI-880 | 994 注文の詳細 |
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PD55035S-E | FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 | 891 注文の詳細 |
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BLF6G15LS-500H,112 | RF FET LDMOS 100V 16DB SOT539B | 940 注文の詳細 |
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BLF6G20-230PRN,118 | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A | 895 注文の詳細 |
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BLF7G22L-250P,118 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A | 876 注文の詳細 |
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PTFA072401ELV4XWSA1 | FET RF LDMOS 240W H33288-2 | 997 注文の詳細 |
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PTFA082201EV4XWSA1 | FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 | 978 注文の詳細 |
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MRF373ALSR1 | FET RF 70V 860MHZ NI-360S | 896 注文の詳細 |
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BF1109R,215 | MOSFET 2N-CH 11V 30MA SOT143R | 800 注文の詳細 |
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BF998R,215 | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R | 825 注文の詳細 |
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LET9060C | MOSFET N-CH 80V 12A M-243 | 826 注文の詳細 |
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BLF7G27L-100,118 | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | 964 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10970 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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