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部品番号 | SI4972DY-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI4972DY-T1-E3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI4972DY-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI4972DY-T1-E3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10.8A, 7.2A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 14.5mOhm @ 6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 28nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1080pF @ 15V |
パワー - 最大: | 3.1W, 2.5W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
AON6908ALS_101 | MOSFET N-CH | 942 注文の詳細 |
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NVMFD5483NLT3G | MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN | 988 注文の詳細 |
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SP8M3FU7TB1 | MOSFET N/P-CH 30V 8SOP | 824 注文の詳細 |
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SI6983DQ-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP | 837 注文の詳細 |
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IRF7325 | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC | 899 注文の詳細 |
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STS3C2F100 | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC | 986 注文の詳細 |
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SI4814BDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | 854 注文の詳細 |
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FDW2520C | MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP | 908 注文の詳細 |
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TPC8211(TE12L,Q,M) | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8 | 963 注文の詳細 |
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NVMFD5485NLT3G | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8 | 969 注文の詳細 |
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SI7222DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 | 961 注文の詳細 |
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AO4807L_102 | MOSFET 2P-CH 8-SOIC | 976 注文の詳細 |
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APTC60HM83FT2G | MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE | 894 注文の詳細 |
在庫あり | 10901 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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