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部品番号 | IRF6723M2DTR1P |
LIXINC Part # | IRF6723M2DTR1P |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF6723M2DTR1P PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF6723M2DTR1P |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 15A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6.6mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.35V @ 25µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 14nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1380pF @ 15V |
パワー - 最大: | 2.7W |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | DirectFET™ Isometric MA |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DIRECTFET™ MA |
ZXMD63P02XTA | MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP | 918 注文の詳細 |
|
IRF7325TRPBF | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC | 927 注文の詳細 |
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SI6943BDQ-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP | 949 注文の詳細 |
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94-3449 | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | 936 注文の詳細 |
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DMG4932LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO | 824 注文の詳細 |
|
2N7002DW L6327 | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 | 946 注文の詳細 |
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AON6970 | MOSFET 2N-CH 30V 24A/42A 8DFN | 844 注文の詳細 |
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PMWD26UN,518 | MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP | 828 注文の詳細 |
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SP8K1FU6TB | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC | 908 注文の詳細 |
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MMDF2N02ER2 | MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC | 967 注文の詳細 |
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SI4965DY-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC | 982 注文の詳細 |
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AON3810 | MOSFET 2N-CH 20V 8.5A 8-DFN | 992 注文の詳細 |
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SI4814BDY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | 877 注文の詳細 |
在庫あり | 10969 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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