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部品番号 | SI4569DY-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI4569DY-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI4569DY-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI4569DY-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N and P-Channel |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7.6A, 7.9A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 27mOhm @ 6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 32nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 855pF @ 20V |
パワー - 最大: | 3.1W, 3.2W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
SI4544DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 850 注文の詳細 |
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SIS902DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8 | 864 注文の詳細 |
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TPCF8402(TE85L,F,M | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8 | 887 注文の詳細 |
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DMN5L06DW-7 | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363 | 944 注文の詳細 |
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NDS9957 | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | 907 注文の詳細 |
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IRF7504TRPBF | MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 | 873 注文の詳細 |
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ALD1115MAL | MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP | 984 注文の詳細 |
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SIZ900DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR | 883 注文の詳細 |
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AON7902 | MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN | 1000 注文の詳細 |
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SI4965DY-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC | 941 注文の詳細 |
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AO4822 | MOSFET 2N-CH 30V 8A | 927 注文の詳細 |
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ZXMN3A06DN8TC | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC | 993 注文の詳細 |
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SI4200DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | 928 注文の詳細 |
在庫あり | 10873 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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