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部品番号 | SI4565ADY-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI4565ADY-T1-E3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI4565ADY-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI4565ADY-T1-E3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N and P-Channel |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6.6A, 5.6A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 39mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 22nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 625pF @ 20V |
パワー - 最大: | 3.1W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
AO5600E | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L | 996 注文の詳細 |
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SSM6L13TU(T5L,F,T) | MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6 | 871 注文の詳細 |
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IRF6723M2DTRPBF | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | 831 注文の詳細 |
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AON5820_101 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN | 920 注文の詳細 |
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STC5DNF30V | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP | 876 注文の詳細 |
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MP6M14TCR | MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6 | 970 注文の詳細 |
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SI5902DC-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8 | 947 注文の詳細 |
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BSS8402DW-7 | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | 910 注文の詳細 |
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SI4542DY-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 838 注文の詳細 |
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AO4822_101 | MOSFET 2N-CH 30V 8A | 993 注文の詳細 |
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SI7911DN-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 | 849 注文の詳細 |
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AO9926BL_101 | MOSFET 2N-CH 8SOIC | 947 注文の詳細 |
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SI4286DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO | 806 注文の詳細 |
在庫あり | 10811 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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