IRFH4255DTRPBF

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部品番号 IRFH4255DTRPBF
LIXINC Part # IRFH4255DTRPBF
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IRFH4255DTRPBF PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IRFH4255DTRPBF 仕様

部品番号:IRFH4255DTRPBF
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:HEXFET®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:2 N-Channel (Dual)
フェチ機能:Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):25V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:64A, 105A
(最大) @ id、vgs の rds:3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.1V @ 35µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:15nC @ 4.5V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1314pF @ 13V
パワー - 最大:31W, 38W
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:8-PowerVDFN
サプライヤー デバイス パッケージ:PQFN (5x6)

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