参考まで
| 部品番号 | A2T09VD300NR1 |
| LIXINC Part # | A2T09VD300NR1 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | IC TRANS RF LDMOS |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | A2T09VD300NR1 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | A2T09VD300NR1 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 920MHz |
| 得: | 21.5dB |
| 電圧 - テスト: | 48 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 1.2 A |
| 電力出力: | 79W |
| 電圧 - 定格: | 105 V |
| パッケージ・ケース: | TO-270-6 Variant, Flat Leads |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-270WB-6A |
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CPH5870-TL-E | NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES | 180569 注文の詳細 |
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IRF1S30P05SM | IRF1S30P05SM | 961 注文の詳細 |
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ARF468AG | RF MOSFET (VDMOS) | 902 注文の詳細 |
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RF3L05150CB4 | 150 W, 28/32 V RF POWER LDMOS TR | 994 注文の詳細 |
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BF909AR215 | MOSFET N-CH SOT-143R | 9902 注文の詳細 |
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MWT-3F | HIGH POWER GAAS MESFET | 932 注文の詳細 |
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SCH1410-TL-E | NCH 2.5V DRIVE SERIES | 926 注文の詳細 |
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BF886H6327XTSA1 | MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343 | 836 注文の詳細 |
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GTVA101K42EV-V1-R250 | GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ | 815 注文の詳細 |
|
PTFB241402F-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | 945 注文の詳細 |
|
PD57045-E | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | 991 注文の詳細 |
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IGN0912LM500 | GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND | 853 注文の詳細 |
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GTRA362802FC-V1-R2 | 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH | 945 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10997 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $89.29580 | $89.2958 |
| 500 | $89.29580 | $44647.9 |
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