参考まで
部品番号: | 7006L35GB |
ブランド: | Renesas Electronics America |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Renesas Electronics America |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tray |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | Volatile |
メモリフォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
メモリー容量: | 128Kb (16K x 8) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | - |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 35ns |
アクセス時間: | 35 ns |
電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
取付タイプ: | Through Hole |
パッケージ・ケース: | 68-BPGA |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 68-PGA (29.46x29.46) |
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A TR | LPDDR4 64G 2GX32 FBGA QDP | 928 注文の詳細 |
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5962-8700211ZA | IC SRAM 16KBIT PARALLEL SB48 | 901 注文の詳細 |
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IS61LF51218B-7.5TQLI-TR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP | 891 注文の詳細 |
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MT53D512M64D4HR-053 WT:D TR | IC DRAM LPDDR4 32G SMD | 980 注文の詳細 |
|
FM93C66ALZEMT8 | EEPROM, 256X16, SERIAL, CMOS | 940 注文の詳細 |
|
29705ADM/B | SRAM | 1934 注文の詳細 |
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CHD1616LVB-70Z | 16-MB (1M X 16) PSUEDO SRAM | 1433 注文の詳細 |
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MT53D768M32D2DS-046 WT:A | IC DRAM LPDDR4 WFBGA | 953 注文の詳細 |
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CY62167DV20LL-5BVI | 16-MBIT (1M X 16) MOBL SRAM | 886 注文の詳細 |
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AS4C512M8D3LC-12BCN | 512M X 8, 1.35V, 800MHZ, DDR3-16 | 1160 注文の詳細 |
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AS4C256M32MD4-062BAN | IC DRAM 4GBIT LVSTL 200FBGA | 1587 注文の詳細 |
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M10042040054X0PWAR | IC RAM 4MBIT SPI 54MHZ 8DFN | 815 注文の詳細 |
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MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | 985 注文の詳細 |
在庫あり | 10871 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $510.18476 | $510.18476 |
21 | $398.60110 | $8370.6231 |
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