参考まで
| 部品番号: | 6116SA150TDB |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Asynchronous |
| メモリー容量: | 16Kb (2K x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 150ns |
| アクセス時間: | 150 ns |
| 電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
| 動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 24-CDIP |
|
CYM1846V33PM-25C | SRAM MODULE, 512KX32, 25NS | 1052 注文の詳細 |
|
CY7C12501KV 18-400BZXC | DDR SRAM, 1MX36, 0.45NS | 1072 注文の詳細 |
|
CY7C1380D-167AXCKJ | SYNC RAM | 1638 注文の詳細 |
|
CAT34C02VP2I-26713-GT4 | IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8TDFN | 2181 注文の詳細 |
|
70V657S12DRGI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | 816 注文の詳細 |
|
MT44K64M18RB-083F:A | IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA | 960 注文の詳細 |
|
7005S35GB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PGA | 886 注文の詳細 |
|
EM6AA160TSE-4IG | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | 849 注文の詳細 |
|
MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K | ALL IN ONE MCP 544G | 859 注文の詳細 |
|
5962-8976401MXA | IC SRAM 32KBIT PARALLEL SB48 | 981 注文の詳細 |
|
N24S64C4DYT3G | IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 4WLCSP | 900 注文の詳細 |
|
MT29F8G01ADBFD12-AAT:F TR | IC FLASH 8GBIT SPI 83MHZ 24TPBGA | 893 注文の詳細 |
|
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | 993 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10850 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $16.53300 | $16.533 |
| 300 | $14.52245 | $4356.735 |
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