参考まで
部品番号: | EDB8164B4PK-1D-F-D |
ブランド: | Micron Technology |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Micron Technology |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | Volatile |
メモリフォーマット: | DRAM |
テクノロジー: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
メモリー容量: | 8Gb (128M x 64) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | 533 MHz |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
アクセス時間: | - |
電圧 - 供給: | 1.14V ~ 1.95V |
動作温度: | -30°C ~ 85°C (TC) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 220-WFBGA |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 220-FBGA (14x14) |
MTFC128GAPALBH-AAT | IC FLASH 1TB MMC | 907 注文の詳細 |
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27C256-25/SO277 | 256K (32K X 8) CMOS EPROM | 2228 注文の詳細 |
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AS4C512M8D4-83BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | 970 注文の詳細 |
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CAT64LC40YI-G | IC EEPROM 4KBIT SPI 1MHZ 8TSSOP | 8548 注文の詳細 |
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MD2764A-35/B | MD2764A-35/B | 846 注文の詳細 |
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M30082040054X0PSAY | IC RAM 8MBIT 54MHZ 8SOIC | 879 注文の詳細 |
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MT29F4G08ABBFAH4-AITES:F TR | IC FLASH NAND 4G PAR 63VFBGA | 861 注文の詳細 |
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S34MS04G100BHI000Z | 4 GB ECC, 1.8V SLC NAND FLASH | 41582 注文の詳細 |
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R1LP0408CSB-7UI#D0 | STANDARD SRAM, 512KX8, 70NS | 6636 注文の詳細 |
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HD63310RP20 | MULTI-PORT SRAM, 1KX8, 200NS | 2446 注文の詳細 |
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EDB4432BBBJ-1D-F-R | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | 822 注文の詳細 |
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S29AL016J70TAI020A | PARALLEL NOR FLASH, 1MKX16, 70NS | 1422 注文の詳細 |
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CG6059AT | SPECIAL | 832 注文の詳細 |
在庫あり | 10843 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $12.45206 | $12.45206 |
1260 | $12.45206 | $15689.5956 |
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