参考まで
| 部品番号: | 6116LA20TDB |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Asynchronous |
| メモリー容量: | 16Kb (2K x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 20ns |
| アクセス時間: | 20 ns |
| 電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
| 動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 24-CDIP |
|
IS43DR16128C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | 986 注文の詳細 |
|
71V016SA15BFGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA | 981 注文の詳細 |
|
NM93C46ALMT8 | EEPROM, 64X16, SERIAL, CMOS | 999 注文の詳細 |
|
CAT24C05TDGI-T3 | IC EEPROM 4KBIT I2C TSOT23-5 | 3967 注文の詳細 |
|
GS8321Z36GE-166IV | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA | 940 注文の詳細 |
|
MT53E2DCDS-DC TR | LPDDR4 0 FBGA QDP | 809 注文の詳細 |
|
MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | 865 注文の詳細 |
|
MT47H64M16NF-187E:M | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | 984 注文の詳細 |
|
CG6476AA | SPECIAL | 848 注文の詳細 |
|
5962-3829406MZA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | 884 注文の詳細 |
|
CY15V104QSN-108LPXIT | IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 8GQFN | 972 注文の詳細 |
|
CP7126AT | USB | 970 注文の詳細 |
|
MX29GL512GHT2I-10G | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP | 989 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10930 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $16.53300 | $16.533 |
| 300 | $14.52245 | $4356.735 |
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