参考まで
| 部品番号 | AFT21H350W04GSR6 |
| LIXINC Part # | AFT21H350W04GSR6 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | AFT21H350W04GSR6 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 21 - Oct 25 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | AFT21H350W04GSR6 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Obsolete |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 2.11GHz |
| 得: | 16.4dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 750 mA |
| 電力出力: | 63W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | NI-1230S-4 GW |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-1230S-4 GULL |
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MHT1005HSR3 | IC LDMOS TRANS 120V NI-780S | 874 注文の詳細 |
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BLF9G38-10GJ | RF MOSFET LDMOS SOT975C | 923 注文の詳細 |
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PTFB212503EL-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | 949 注文の詳細 |
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MRF6S19140HSR3 | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S | 891 注文の詳細 |
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MRF19090SR3 | FET RF 65V 1.93GHZ NI-880S | 968 注文の詳細 |
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BLF8G20LS-140GVQ | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | 897 注文の詳細 |
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LET9070FB | RF MOSFET LDMOS 28V M250 | 990 注文の詳細 |
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MRF8S18260HR6 | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8 | 819 注文の詳細 |
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PTRA093302DC V1 R250 | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | 925 注文の詳細 |
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MMRF1007HR5 | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 | 846 注文の詳細 |
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MRF6S19060MBR1 | FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 | 976 注文の詳細 |
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BLC10G18XS-320AVTY | RF TRANSISTOR 320W 6LD SOT1258-4 | 861 注文の詳細 |
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BLF4G20S-110B,112 | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | 997 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10946 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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