参考まで
| 部品番号: | 70V27S35PFI |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Obsolete |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| メモリー容量: | 512Kb (32K x 16) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 35ns |
| アクセス時間: | 35 ns |
| 電圧 - 供給: | 3V ~ 3.6V |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 100-LQFP |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 100-TQFP (14x14) |
|
DS1350BL-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM | 807 注文の詳細 |
|
MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 200MHZ | 910 注文の詳細 |
|
MSP14LV080-E1-GJ-001 | IC MCU AUTO | 872 注文の詳細 |
|
70P264L40BYGI8 | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 81CABGA | 932 注文の詳細 |
|
MT53D512M64D4CR-053 WT ES:D TR | IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA | 994 注文の詳細 |
|
CAT25010VI-GD | IC EEPROM 1KBIT SPI 8SOIC | 947 注文の詳細 |
|
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | 956 注文の詳細 |
|
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D | IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA | 914 注文の詳細 |
|
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR | IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ | 839 注文の詳細 |
|
CG8653AA | IC PSOC4 8SOIC | 844 注文の詳細 |
|
S71VS256RC0AHK4L3 | IC FLASH MEMORY NOR | 977 注文の詳細 |
|
71V30L55TFI8 | IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP | 980 注文の詳細 |
|
CG8350AAT | IC SRAM | 969 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10950 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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