参考まで
部品番号: | W978H2KBQX2I |
ブランド: | Winbond Electronics Corporation |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Winbond Electronics Corporation |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tray |
部品の状態: | Obsolete |
メモリータイプ: | Volatile |
メモリフォーマット: | DRAM |
テクノロジー: | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
メモリー容量: | 256Mb (8M x 32) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | 400 MHz |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 15ns |
アクセス時間: | - |
電圧 - 供給: | 1.14V ~ 1.95V |
動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 168-WFBGA |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 168-WFBGA (12x12) |
MT53B384M64D4NZ-053 WT:C | IC DRAM 24GBIT 1866MHZ FBGA | 804 注文の詳細 |
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DS28E22P-04A-00+1T | IC EEPROM 2KBIT 1-WIRE 6TSOC | 818 注文の詳細 |
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28232478 B | IC MEMORY 1GB FLASH 3.0V 64FBGA | 854 注文の詳細 |
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MT42L32M16D1FE-25 IT:A | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 121FBGA | 851 注文の詳細 |
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16-3962-01 | IC GATE NOR | 959 注文の詳細 |
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MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C | IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA | 809 注文の詳細 |
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MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR | IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ | 1000 注文の詳細 |
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7007S25J | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PLCC | 807 注文の詳細 |
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25CS640T-E/ST | IC MEMORY EEPROM 64MB SPI | 874 注文の詳細 |
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JR28F064M29EWTB TR | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP | 968 注文の詳細 |
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7006S55J8 | IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC | 885 注文の詳細 |
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MT53D768M64D8RG-053 WT:D | IC DRAM 48GBIT 1866MHZ FBGA | 811 注文の詳細 |
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M27C512-10C6TR | IC EPROM 512KBIT PARALLEL 32PLCC | 927 注文の詳細 |
在庫あり | 10817 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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