参考まで
| 部品番号: | 7005S35J/2594 |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Obsolete |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| メモリー容量: | 64Kb (8K x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 35ns |
| アクセス時間: | 35 ns |
| 電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
| 動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 68-LCC (J-Lead) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 68-PLCC (24.21x24.21) |
|
7133SA70JI8 | IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PLCC | 906 注文の詳細 |
|
EDF8164A3MD-GD-F-R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 800MHZ | 858 注文の詳細 |
|
MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR | IC DRAM 24GBIT 1866MHZ FBGA | 981 注文の詳細 |
|
M58LR128KB70ZB5E | IC FLASH 128MBIT PAR 56VFBGA | 940 注文の詳細 |
|
MT41K512M8RH-107:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | 870 注文の詳細 |
|
EDFP112A3PF-GD-F-D | IC DRAM 24GBIT PARALLEL 800MHZ | 854 注文の詳細 |
|
MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA | 936 注文の詳細 |
|
MT29F512G08CMCCBH7-6C:C | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | 870 注文の詳細 |
|
NAND512R3A2AZA6E | IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA | 920 注文の詳細 |
|
CG7855AAT | IC EMI REDUCTION PREMIS SSCG | 849 注文の詳細 |
|
MT29F128G08AUCBBH3-12:B | IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA | 870 注文の詳細 |
|
MT49H32M18BM-33:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA | 870 注文の詳細 |
|
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR | IC DRAM 16GBIT 1600MHZ FBGA | 932 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10860 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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