参考まで
部品番号 | BYG10YHE3_A/I |
LIXINC Part # | BYG10YHE3_A/I |
メーカー | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル |
説明 | 1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BYG10YHE3_A/I PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BYG10YHE3_A/I |
ブランド: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | ダイオード - 整流器 - シングル |
メーカー: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
ダイオードタイプ: | Avalanche |
電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 1600 V |
電流 - 平均整流 (io): | 1.5A (DC) |
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if: | 1.15 V @ 1.5 A |
スピード: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
逆回復時間 (trr): | 4 µs |
電流 - 逆漏れ @ vr: | 1 µA @ 1600 V |
静電容量 @ vr, f: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | DO-214AC, SMA |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SMA (DO-214AC) |
動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 150°C |
S2A-E3/52T | DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA | 1578 注文の詳細 |
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BYT77-TR | DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 | 897 注文の詳細 |
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UJ3D06512TS | 650V 12A SIC SCHOTTKY DIODE G3, | 3589 注文の詳細 |
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VS-80APF10-M3 | DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC | 924 注文の詳細 |
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31GF4-E3/73 | DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD | 884 注文の詳細 |
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ST1K | DIODE STD SMA 800V 1A | 8365 注文の詳細 |
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SDURF1560 | DIODE GEN PURP 600V 15A ITO220AC | 859 注文の詳細 |
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1N4448W-E3-08 | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123 | 10489 注文の詳細 |
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HS1DL RQG | DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | 967 注文の詳細 |
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GROMA | 1.5A -1000V - SMA (DO-214AC) - R | 1058 注文の詳細 |
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RB511SM-30FHT2R | RB511SM-30FH IS THE HIGH RELIABI | 899 注文の詳細 |
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NTE573-2 | R-SCHOTTKY BARRIER 200V5A | 3996 注文の詳細 |
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NUR460/L02,112 | RECTIFIER DIODE | 10053 注文の詳細 |
在庫あり | 16511 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.45000 | $0.45 |
7500 | $0.16151 | $1211.325 |
15000 | $0.15670 | $2350.5 |
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