CRS03(TE85L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation CRS03(TE85L,Q,M)

CRS03(TE85L,Q,M)

拡大する

参考まで

部品番号	CRS03(TE85L,Q,M)
LIXINC Part #	CRS03(TE85L,Q,M)
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	CRS03(TE85L,Q,M) PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
支払い
運送

CRS03(TE85L,Q,M) 仕様

部品番号:	CRS03(TE85L,Q,M)
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Schottky
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	30 V
電流 - 平均整流 (io):	1A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	450 mV @ 1 A
スピード:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	-
電流 - 逆漏れ @ vr:	100 µA @ 30 V
静電容量 @ vr, f:	40pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	SOD-123F
サプライヤーデバイスパッケージ:	S-FLAT (1.6x3.5)
動作温度 - ジャンクション:	-40°C ~ 150°C

SA2D-M3/61T	DIODE GPP 2A 200V DO-214AC	813 注文の詳細
CDBB260-HF	DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA	1188018987 注文の詳細
S5JHE3_A/H	DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB	925 注文の詳細
GIB1404HE3/81	DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB	907 注文の詳細
RL251GP-TP	DIODE GEN PURP 2.5A 50V R3	962 注文の詳細
SCS308AHGC9	SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING	1793 注文の詳細
ES1DL RVG	DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA	21295 注文の詳細
BAT54W,135	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70	12557 注文の詳細
SCS310AJTLL	DIODES SILICON CARBIDE	1835 注文の詳細
PMEG100V100ELPDZ	DIODE SCHOTTKY 100V 10A CFP15	2141 注文の詳細
1N6480HE3/97	DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB	970 注文の詳細
ES1GLW RVG	DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W	13646 注文の詳細
RGP10D-E3/73	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL	12850 注文の詳細