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| 部品番号 | NTE2960 |
| LIXINC Part # | NTE2960 |
| メーカー | NTE Electronics, Inc. |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NTE2960 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NTE2960 |
| ブランド: | NTE Electronics, Inc. |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | NTE Electronics, Inc. |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bag |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | 2 N-Channel |
| フェチ機能: | Standard |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 900V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7A |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 2Ohm @ 3A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1380pF @ 25V |
| パワー - 最大: | 40W |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | TO-220-3 Full Pack |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220 Full Pack |
 |
SIZ300DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR | 976 注文の詳細 |
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BSM180D12P3C007 | SIC POWER MODULE | 904 注文の詳細 |
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FDMC3300NZA | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10112 注文の詳細 |
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PMDPB55XP,115 | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | 971 注文の詳細 |
 |
FW274-TL-E | N-CHANNEL MOSFET | 15929 注文の詳細 |
 |
ZXMC3AM832TA | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP | 1547 注文の詳細 |
 |
PMV50ENEA,215 | 3.9A, 30V, N CHANNEL, SILICON, M | 9821 注文の詳細 |
 |
CSD75301W1015 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 2268 注文の詳細 |
 |
PMV280ENEA,215 | 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON, | 3866 注文の詳細 |
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SI7913DN-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8 | 3122 注文の詳細 |
 |
DMN61D8LVTQ-7 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | 8717 注文の詳細 |
 |
SI4210DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | 1262 注文の詳細 |
 |
IRF7331TRPBF | 7A, 20V, N CHANNEL, MOSFET | 969 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10964 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $8.63000 | $8.63 |
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