参考まで
部品番号 | SQJB42EP-T1_GE3 |
LIXINC Part # | SQJB42EP-T1_GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SQJB42EP-T1_GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | SQJB42EP-T1_GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 30A (Tc) |
(最大) @ id、vgs の rds: | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 30nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1500pF @ 25V |
パワー - 最大: | 48W |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® SO-8 Dual |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® SO-8 Dual |
SI1553CDL-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | 19354 注文の詳細 |
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NTJD2152PT1G | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 542009 注文の詳細 |
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SSM6N43FU,LF | MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6 | 6844 注文の詳細 |
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RM2003 | MOSFET N&P-CH 20V 3A SOT23-6 | 812 注文の詳細 |
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IRFH4257DTRPBF | IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET | 3364 注文の詳細 |
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SQ1922EEH-T1_GE3 | MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 | 9447 注文の詳細 |
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SSM6N815R,LF | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF | 1192 注文の詳細 |
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IRF432 | HEXFET POWER MOSFETS | 2070 注文の詳細 |
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ALD210802PCL | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP | 969 注文の詳細 |
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IPI80N04S3-03 | N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET | 8898 注文の詳細 |
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SH8M12TB1 | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8 | 974 注文の詳細 |
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UT6JB5TCR | -40V DUAL PCH+PCH, DFN2020, POWE | 858 注文の詳細 |
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NX138AKSF | MOSFET 2 N-CH 60V 170MA SOT363 | 805 注文の詳細 |
在庫あり | 12059 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.13000 | $1.13 |
3000 | $0.53046 | $1591.38 |
6000 | $0.50556 | $3033.36 |
15000 | $0.48777 | $7316.55 |
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