参考まで
部品番号 | ALD210808ASCL |
LIXINC Part # | ALD210808ASCL |
メーカー | Advanced Linear Devices, Inc. |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | ALD210808ASCL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | ALD210808ASCL |
ブランド: | Advanced Linear Devices, Inc. |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Advanced Linear Devices, Inc. |
シリーズ: | EPAD®, Zero Threshold™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 4 N-Channel, Matched Pair |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 10.6V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 80mA |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | 20mV @ 10µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
パワー - 最大: | 500mW |
動作温度: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 16-SOIC |
DMG6602SVTQ-7 | MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 | 897 注文の詳細 |
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ALD110808APCL | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP | 898 注文の詳細 |
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FDMS3686S | MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56 | 3892 注文の詳細 |
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ALD110904SAL | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 872 注文の詳細 |
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 | MOSFET MODULE 1200V 50A | 952 注文の詳細 |
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BSL214NL6327 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 9387 注文の詳細 |
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SQJ262EP-T1_GE3 | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 | 1764 注文の詳細 |
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IRF7309PBF | P-CHANNEL POWER MOSFET | 1838 注文の詳細 |
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SI5517DU-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | 1065 注文の詳細 |
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SI4276DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | 814 注文の詳細 |
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DMP3048LSD-13 | MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 4.8A 8SO | 845 注文の詳細 |
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FDMS3668S | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56 | 917 注文の詳細 |
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SI3948DV-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | 827 注文の詳細 |
在庫あり | 10921 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $6.06600 | $6.066 |
50 | $5.96792 | $298.396 |
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