SI5511DC-T1-E3

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部品番号 SI5511DC-T1-E3
LIXINC Part # SI5511DC-T1-E3
メーカー Vishay / Siliconix
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SI5511DC-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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SI5511DC-T1-E3 仕様

部品番号:SI5511DC-T1-E3
ブランド:Vishay / Siliconix
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:Vishay / Siliconix
シリーズ:TrenchFET®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N and P-Channel
フェチ機能:Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:4A, 3.6A
(最大) @ id、vgs の rds:55mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:7.1nC @ 5V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:435pF @ 15V
パワー - 最大:3.1W, 2.6W
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:8-SMD, Flat Lead
サプライヤー デバイス パッケージ:1206-8 ChipFET™

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