参考まで
| 部品番号 | SI7222DN-T1-E3 |
| LIXINC Part # | SI7222DN-T1-E3 |
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SI7222DN-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SI7222DN-T1-E3 |
| ブランド: | Vishay / Siliconix |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Obsolete |
| フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
| フェチ機能: | Standard |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6A |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 42mOhm @ 5.7A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 1.6V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 29nC @ 10V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 700pF @ 20V |
| パワー - 最大: | 17.8W |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
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NDS9956A | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC | 835 注文の詳細 |
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AOD607_001 | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4 | 936 注文の詳細 |
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SI4830CDY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | 874 注文の詳細 |
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SI4940DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC | 952 注文の詳細 |
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AO8810#A | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP | 913 注文の詳細 |
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SIF902EDZ-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK | 834 注文の詳細 |
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NTJD4152PT1 | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 | 919 注文の詳細 |
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IRF5850TR | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP | 915 注文の詳細 |
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SI4544DY-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 988 注文の詳細 |
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SI4214DY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | 972 注文の詳細 |
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IRF7316TR | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | 839 注文の詳細 |
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SI6544BDQ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP | 893 注文の詳細 |
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MMDF2C03HDR2 | MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC | 876 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10859 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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