参考まで
部品番号 | SI4214DY-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI4214DY-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI4214DY-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI4214DY-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Standard |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 8.5A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 23.5mOhm @ 7A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 23nC @ 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 785pF @ 15V |
パワー - 最大: | 3.1W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
IRF7316TR | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC | 845 注文の詳細 |
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SI6544BDQ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP | 970 注文の詳細 |
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MMDF2C03HDR2 | MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC | 983 注文の詳細 |
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SP8M8FU6TB | MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC | 930 注文の詳細 |
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FDG6321C-F169 | INTEGRATED CIRCUIT | 897 注文の詳細 |
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FDS4559-F085 | MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO | 980 注文の詳細 |
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SI4834BDY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | 882 注文の詳細 |
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IRF7324PBF | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC | 945 注文の詳細 |
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IRF5850 | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP | 864 注文の詳細 |
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SI7540DP-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 | 829 注文の詳細 |
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SI3850ADV-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP | 974 注文の詳細 |
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SI7270DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 | 946 注文の詳細 |
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2N7002BKS/ZLX | MOSFET 2 N-CH 60V 300MA SOT363 | 955 注文の詳細 |
在庫あり | 10833 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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