参考まで
部品番号 | IRF5850 |
LIXINC Part # | IRF5850 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF5850 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF5850 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.2A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 135mOhm @ 2.2A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 5.4nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 320pF @ 15V |
パワー - 最大: | 960mW |
動作温度: | - |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-TSOP |
SI7540DP-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 | 860 注文の詳細 |
|
SI3850ADV-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP | 804 注文の詳細 |
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SI7270DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 | 884 注文の詳細 |
|
2N7002BKS/ZLX | MOSFET 2 N-CH 60V 300MA SOT363 | 857 注文の詳細 |
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HUF76407DK8T | MOSFET 2N-CH 60V SOP-8 | 892 注文の詳細 |
|
TPC8213-H(TE12LQ,M | MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8 | 933 注文の詳細 |
|
ZXMC3A17DN8TC | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | 888 注文の詳細 |
|
SI1988DH-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6 | 872 注文の詳細 |
|
SI1563EDH-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | 951 注文の詳細 |
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SI5515DC-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 | 852 注文の詳細 |
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TPC8208(TE12L,Q,M) | MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8 | 954 注文の詳細 |
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AO4616L | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | 805 注文の詳細 |
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SI1970DH-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | 981 注文の詳細 |
在庫あり | 10910 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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