参考まで
部品番号 | SI5515DC-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI5515DC-T1-E3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI5515DC-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI5515DC-T1-E3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N and P-Channel |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4.4A, 3A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
パワー - 最大: | 1.1W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SMD, Flat Lead |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 1206-8 ChipFET™ |
TPC8208(TE12L,Q,M) | MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8 | 969 注文の詳細 |
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AO4616L | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | 873 注文の詳細 |
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SI1970DH-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | 913 注文の詳細 |
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AUIRF7343Q | MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC | 996 注文の詳細 |
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STS3DPF60L | MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC | 855 注文の詳細 |
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MP6K11TCR | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A MPT6 | 948 注文の詳細 |
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IRF7379PBF | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | 874 注文の詳細 |
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FDMS3660S-F121 | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN | 866 注文の詳細 |
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ECH8651R-R-TL-H | MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 | 892 注文の詳細 |
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SP8K5TB | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC | 948 注文の詳細 |
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SP8J1TB | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC | 815 注文の詳細 |
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BSO612CV | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC | 801 注文の詳細 |
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NTZD3156CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | 844 注文の詳細 |
在庫あり | 10854 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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