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部品番号 | SI6993DQ-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI6993DQ-T1-E3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI6993DQ-T1-E3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 26 - Sep 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI6993DQ-T1-E3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.6A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 31mOhm @ 4.7A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
パワー - 最大: | 830mW |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-TSSOP |
SI1016X-T1-E3 | MOSFET N/P-CH 20V SOT563F | 881 注文の詳細 |
|
SI5905DC-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 | 926 注文の詳細 |
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APTM120TDU57PG | MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P | 994 注文の詳細 |
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SI6993DQ-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP | 941 注文の詳細 |
|
ZXMN2A04DN8TC | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC | 838 注文の詳細 |
|
SI1553DL-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | 924 注文の詳細 |
|
NTHD3100CT3 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET | 867 注文の詳細 |
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2N7002PS/ZLH | MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363 | 877 注文の詳細 |
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SP8M7TB | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC | 972 注文の詳細 |
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MVDF2C03HDR2G | MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC | 832 注文の詳細 |
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NTMFD4C87NT3G | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | 920 注文の詳細 |
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AO4812L_101 | MOSFET 2N-CH 30V 6A | 900 注文の詳細 |
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SI5905BDC-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | 874 注文の詳細 |
在庫あり | 10902 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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