参考まで
| 部品番号 | FCI17N60 |
| LIXINC Part # | FCI17N60 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | FCI17N60 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | FCI17N60 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| フェチ機能: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| パワー - 最大: | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
|
PMV30XPEA,215 | 4.5A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M | 982 注文の詳細 |
|
RJK0222DNS-00#J5 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 340843 注文の詳細 |
|
IRF640S2470 | 18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL, | 5258 注文の詳細 |
|
RF1S640 | 18A, 200V, 0.180 OHM, N-CHANNEL | 4856 注文の詳細 |
|
BSM600D12P3G001 | 1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S | 893 注文の詳細 |
|
APTC60DDAM45T1G | MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 | 859 注文の詳細 |
|
DMN3035LWN-13 | MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8 | 938 注文の詳細 |
|
FW256-TL-E | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 3953 注文の詳細 |
|
TM3055-TL-E | N-CHANNEL MOSFET | 112988 注文の詳細 |
|
APTC60DDAM24T3G | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | 962 注文の詳細 |
|
RFIS70N06SM | 70A, 60V, 0.014OHM, N-CHANNEL, | 1874 注文の詳細 |
|
RF1S50N06SM9AS2551 | 50A, 60V, 0.022 OHM, ESD RATED, | 848 注文の詳細 |
|
NTMFD2D4N03P8 | MOSFET 2N-CH 30V 8PQFN | 942 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10937 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.02000 | $1.02 |
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