参考まで
| 部品番号 | IRFR21496 |
| LIXINC Part # | IRFR21496 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | 2.2A 250V 2.000 OHM N-CHANNEL |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRFR21496 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRFR21496 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| フェチ機能: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| パワー - 最大: | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
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DMN2022UDH-13 | MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8 | 874 注文の詳細 |
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APTM50H10FT3G | MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3 | 923 注文の詳細 |
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AOCA32108E | 12V COMMON-DRAIN DUAL N-CHANNEL | 860 注文の詳細 |
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APTC60DDAM70T1G | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | 806 注文の詳細 |
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IRFR91209AR3603 | 5.6A, 100V, 0.6OHM, P-CHANNEL, | 1426 注文の詳細 |
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APTM100A13DG | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | 991 注文の詳細 |
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MSCSM120AM042CD3AG | PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3 | 914 注文の詳細 |
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NTMFD6H846NLT1G | DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V, | 15888 注文の詳細 |
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FDBL9406 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4939 注文の詳細 |
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MCH5815-TL-E-ON | P-CHANNEL SILICON MOSFET | 156840 注文の詳細 |
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FS50KM-2-J2#E52 | DISCRETE / POWER MOSFET | 1876 注文の詳細 |
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DMP2101UCB9-7 | MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB | 3854 注文の詳細 |
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IAUC60N04S6N031HATMA1 | IAUC60N04S6N031HATMA1 | 817 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11901 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.29000 | $0.29 |
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