参考まで
| 部品番号 | AFT18P350-4S2LR6 |
| LIXINC Part # | AFT18P350-4S2LR6 |
| メーカー | NXP Semiconductors |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | AFT18P350-4S2LR6 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | AFT18P350-4S2LR6 |
| ブランド: | NXP Semiconductors |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | NXP Semiconductors |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 1.81GHz |
| 得: | 16.1dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 1 A |
| 電力出力: | 63W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | NI-1230-4LS2L |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-1230-4LS2L |
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MRF6S21100NBR1 | FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4 | 866 注文の詳細 |
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BLP8G20S-80PY | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | 986 注文の詳細 |
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ON5234,118 | ON5234 - MOSFET | 993 注文の詳細 |
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LF398P | SAMPLE AND HOLD CIRCUIT | 5790 注文の詳細 |
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MMBFJ309LT1G | RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3 | 622318817 注文の詳細 |
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BLC9G20LS-361AVTZ | RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583 | 910 注文の詳細 |
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CE3521M4-C2 | RF FET 4V 20GHZ SOT343 | 9127 注文の詳細 |
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GTVA220701FA-V1-R0 | RF SIC HEMT 70W,1805 - 2170MHZ | 889 注文の詳細 |
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BLF573,112 | RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST | 1071 注文の詳細 |
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2SK3557-7-TB-E | RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP | 2147484639 注文の詳細 |
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MRF8P29300HR6 | FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230 | 823 注文の詳細 |
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BLC8G24LS-241AVY | RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 | 889 注文の詳細 |
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MRF6VP3450HR6 | RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- | 1048 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10889 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $348.75693 | $348.75693 |
| 150 | $153.33767 | $23000.6505 |
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