参考まで
| 部品番号 | AFT26P100-4WSR3 |
| LIXINC Part # | AFT26P100-4WSR3 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | RF N CHANNEL, MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | AFT26P100-4WSR3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | AFT26P100-4WSR3 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS (Dual) |
| 周波数: | 2.69GHz |
| 得: | 15.1dB |
| 電圧 - テスト: | 28 V |
| 定格電流 (アンペア): | - |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 200 mA |
| 電力出力: | 22W |
| 電圧 - 定格: | 65 V |
| パッケージ・ケース: | NI-780S-4 |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | NI-780S-4 |
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CGH27015F | RF MOSFET HEMT 28V 440166 | 977 注文の詳細 |
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MRF6V2300NBR5 | RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- | 1073 注文の詳細 |
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BLC9G27LS-151AVY | RF FET LDMOS 65V 15.6DB SOT12753 | 906 注文の詳細 |
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MRF8S21100HSR3 | RF S BAND, N-CHANNEL | 1837 注文の詳細 |
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BLF881,112 | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467C | 838 注文の詳細 |
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ADR425CR-REEL7 | ULTRAPRECISION, LOW NOISE, 5.00V | 3760 注文の詳細 |
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MCH6306-TL-E | PCH 4V DRIVE SERIES | 210953 注文の詳細 |
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AFT23H200-4S2LR6 | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4 | 936 注文の詳細 |
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PD55008TR-E | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | 1124 注文の詳細 |
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BLL6H1214P2S-250Z | RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE | 800 注文の詳細 |
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CLF1G0060S-30U | RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227B | 851 注文の詳細 |
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CGHV14500F | RF MOSFET HEMT 50V 440117 | 969 注文の詳細 |
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BLF10H6600PU | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | 808 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10973 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $141.51000 | $141.51 |
| 250 | $ 67.92376 | $16980.94 |
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