参考まで
| 部品番号 | PD85025TR-E |
| LIXINC Part # | PD85025TR-E |
| メーカー | STMicroelectronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| 説明 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PD85025TR-E PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PD85025TR-E |
| ブランド: | STMicroelectronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - RF |
| メーカー: | STMicroelectronics |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| トランジスタタイプ: | LDMOS |
| 周波数: | 870MHz |
| 得: | 17.3dB |
| 電圧 - テスト: | 13.6 V |
| 定格電流 (アンペア): | 7A |
| 雑音指数: | - |
| 現在 - テスト: | 300 mA |
| 電力出力: | 10W |
| 電圧 - 定格: | 40 V |
| パッケージ・ケース: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
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BTS132E3129NKSA1 | BTS132 - N-CHANNEL TEMPFET | 24438 注文の詳細 |
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MMRF1312HSR5 | TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | 862 注文の詳細 |
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30C01M-TL-E | BIP NPN 0.4A 30V | 183808 注文の詳細 |
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BLF8G20LS-220U | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | 837 注文の詳細 |
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MRF6S19200HR5 | FET RF 66V 1.99GHZ NI780 | 943 注文の詳細 |
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MRFE6VP5600HSR5 | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S | 851 注文の詳細 |
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BLP2425M10S250PY | BLP2425M10S250P/OMP780/REELDP | 823 注文の詳細 |
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BLF882SU | RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B | 899 注文の詳細 |
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BLS8G2731L-400PU | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A | 927 注文の詳細 |
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PTVA104501EH-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-33288-2 | 972 注文の詳細 |
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MRF5S19130HR3 | RF L BAND, N-CHANNEL | 827 注文の詳細 |
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MHT1108NT1 | RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO | 917 注文の詳細 |
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BLF6G15L-250PBRN,1 | RF PFET, 3-ELEMENT, L BAND, SILI | 935 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10912 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $23.16000 | $23.16 |
| 600 | $17.06723 | $10240.338 |
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