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部品番号 | SIR178DP-T1-RE3 |
LIXINC Part # | SIR178DP-T1-RE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIR178DP-T1-RE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jul 03 - Jul 07 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
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運送 | ![]() |
部品番号: | SIR178DP-T1-RE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® Gen IV |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 100A (Ta), 430A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 400µOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 310 nC @ 10 V |
vgs (最大): | +12V, -8V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 12430 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 6.3W (Ta), 104W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ・ケース: | PowerPAK® SO-8 |
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在庫あり | 16928 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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