参考まで
部品番号 | SIHW47N60EF-GE3 |
LIXINC Part # | SIHW47N60EF-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SIHW47N60EF-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SIHW47N60EF-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 47A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 65mOhm @ 24A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 225 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4854 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 379W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-247AD |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
TPH3202PD | GANFET N-CH 600V 9A TO220AB | 859 注文の詳細 |
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FDD6606 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK | 215481 注文の詳細 |
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ZVP3306FTA | MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3 | 40679 注文の詳細 |
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NTD4963N-35G | MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A IPAK | 18330 注文の詳細 |
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SI7820DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8 | 1732 注文の詳細 |
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XPH3R114MC,L1XHQ | MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP | 4258 注文の詳細 |
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AOT8N65 | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 | 905 注文の詳細 |
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AONS66402 | MOSFET N-CH 40V 49A/85A | 920 注文の詳細 |
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MCU05N60A-TP | MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK | 2906 注文の詳細 |
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2SK2736-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4050 注文の詳細 |
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IRLIZ34NPBF | MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP | 2149 注文の詳細 |
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NVTFS5C478NLWFTAG | MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN | 2373 注文の詳細 |
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SI7892BDP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 | 3672 注文の詳細 |
在庫あり | 10944 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $6.78590 | $6.7859 |
500 | $6.78590 | $3392.95 |
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