参考まで
部品番号 | SI4410DY |
LIXINC Part # | SI4410DY |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI4410DY PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI4410DY |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 13.5mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 60 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.35 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SOIC |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RQ3E100GNTB | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT | 2456 注文の詳細 |
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SI3443BDV-T1-BE3 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP | 3877 注文の詳細 |
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3LP01M-TL-E | MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP | 163820 注文の詳細 |
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SPB42N03S2L-13 | MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3 | 1097 注文の詳細 |
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IRFBC30ASTRLPBF | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | 1722 注文の詳細 |
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SIHH24N65EF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8 | 802 注文の詳細 |
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PMPB13XNE,115 | MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 | 271686 注文の詳細 |
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NTLJS3A18PZTWG | MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN | 6950 注文の詳細 |
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FQU13N06LTU-WS | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | 36337 注文の詳細 |
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AUIRF540ZSTRL | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK | 1403 注文の詳細 |
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IRFB7437PBF | MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB | 881 注文の詳細 |
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SI4490DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO | 2919 注文の詳細 |
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TK7R4A10PL,S4X | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 999 注文の詳細 |
在庫あり | 18213 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
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