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| 部品番号 | TJ10S04M3L,LXHQ |
| LIXINC Part # | TJ10S04M3L,LXHQ |
| メーカー | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | TJ10S04M3L,LXHQ PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | TJ10S04M3L,LXHQ |
| ブランド: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| シリーズ: | U-MOSVI |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | P-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 40 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10A (Ta) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 6V, 10V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 44mOhm @ 5A, 10V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 1mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 19 nC @ 10 V |
| vgs (最大): | +10V, -20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 930 pF @ 10 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 27W (Tc) |
| 動作温度: | 175°C |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | DPAK+ |
| パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
 |
STF23NM50N | MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP | 1908 注文の詳細 |
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BSZ050N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON | 5898 注文の詳細 |
| 在庫あり | 12870 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 1 | $1.00000 | $1 |
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