参考まで
部品番号 | R6507ENJTL |
LIXINC Part # | R6507ENJTL |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 650V 7A LPTS |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | R6507ENJTL PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | R6507ENJTL |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 665mOhm @ 2.4A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 200µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 390 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 78W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | LPTS |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
HUF75345S3S | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 4842 注文の詳細 |
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HUF76439S3ST | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 2103 注文の詳細 |
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FQB10N20CTM | MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK | 812 注文の詳細 |
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IPB22N03S4L-15ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8894 注文の詳細 |
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SQ4483BEEY-T1_GE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC | 3444 注文の詳細 |
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FDU6N50TU | MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK | 10397 注文の詳細 |
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IPD50N06S2L13ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31 | 3268 注文の詳細 |
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SIRA62DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK | 3320 注文の詳細 |
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STP100N8F6 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | 840 注文の詳細 |
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IRFBG20PBF | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB | 937 注文の詳細 |
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RSF015N06TL | MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3 | 2575 注文の詳細 |
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IRFS4229TRLPBF | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | 802 注文の詳細 |
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NTD80N02-1G | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK | 59652 注文の詳細 |
在庫あり | 11988 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.18000 | $3.18 |
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