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| 部品番号 | PMV90ENE215 |
| LIXINC Part # | PMV90ENE215 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PMV90ENE215 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PMV90ENE215 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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IRLR210ATM | MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK | 8398 注文の詳細 |
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IXFP30N60X | MOSFET N-CH 600V 30A TO220 | 2074 注文の詳細 |
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IRF654BFP001 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3793 注文の詳細 |
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FDU8580 | MOSFET N-CH 20V 35A IPAK | 8183 注文の詳細 |
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SI4800BDY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO | 5404 注文の詳細 |
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TSM4NB60CH X0G | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 | 859 注文の詳細 |
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IRFI4228PBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 961 注文の詳細 |
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SI7634BDP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 900 注文の詳細 |
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IRLD014PBF | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP | 7950 注文の詳細 |
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SPP02N60S5 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6219 注文の詳細 |
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SSM6J206FE(TE85L,F | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 7151 注文の詳細 |
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DMTH10H010SPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 1967 注文の詳細 |
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IPAW70R600CEXKSA1 | MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31 | 4552 注文の詳細 |
| 在庫あり | 60911 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.04000 | $0.04 |
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