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| 部品番号 | SPP02N60S5 |
| LIXINC Part # | SPP02N60S5 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | SPP02N60S5 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | SPP02N60S5 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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SSM6J206FE(TE85L,F | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 7130 注文の詳細 |
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DMTH10H010SPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 2071 注文の詳細 |
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IPAW70R600CEXKSA1 | MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31 | 4553 注文の詳細 |
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BUK953R5-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 3329 注文の詳細 |
 |
NVD5C464NT4G | MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK | 4942 注文の詳細 |
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STP11N65M2 | MOSFET N-CH 650V 7A TO220 | 891 注文の詳細 |
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IPP65R310CFDXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3 | 895 注文の詳細 |
 |
IXFT220N20X3HV | MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV | 1336 注文の詳細 |
 |
IPA65R600C6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1726 注文の詳細 |
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FDMA6676PZ | MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET | 1019 注文の詳細 |
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IRF644 | 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL | 25586 注文の詳細 |
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NTD4960N-35G | MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK | 992 注文の詳細 |
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SQD40P10-40L_GE3 | MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA | 900 注文の詳細 |
| 在庫あり | 16151 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.48000 | $0.48 |
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