参考まで
部品番号 | NTD95N02RT4G |
LIXINC Part # | NTD95N02RT4G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTD95N02RT4G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTD95N02RT4G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 24 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Ta), 32A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 5mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 21 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.4 pF @ 20 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.25W (Ta), 86W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DPAK |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
TK7A60W5,S5VX | MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS | 888 注文の詳細 |
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FDB7030BLS | N-CHANNEL POWER MOSFET | 35282 注文の詳細 |
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IXTR210P10T | MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247 | 858 注文の詳細 |
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FQD9N25TM-F085 | MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK | 817 注文の詳細 |
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STB10LN80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK | 1814 注文の詳細 |
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STD13N60M6 | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | 819 注文の詳細 |
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NVMFS6H858NWFT1G | MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN | 9970 注文の詳細 |
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RQ5C030TPTL | MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 | 6822 注文の詳細 |
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IRF7807ZPBF | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | 2631 注文の詳細 |
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IXFK120N30P3 | MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA | 3304 注文の詳細 |
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IPD135N03LG | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 846 注文の詳細 |
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TK31N60W5,S1VF | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247 | 979 注文の詳細 |
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TSM70N900CP ROG | MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252 | 3339 注文の詳細 |
在庫あり | 13476 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.33000 | $0.33 |
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