NVMFS6H858NWFT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS6H858NWFT1G

NVMFS6H858NWFT1G

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部品番号	NVMFS6H858NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS6H858NWFT1G
メーカー	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	NVMFS6H858NWFT1G PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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NVMFS6H858NWFT1G 仕様

部品番号:	NVMFS6H858NWFT1G
ブランド:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101
パッケージ:	Tape & Reel (TR)
部品の状態:	Active
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	8.4A (Ta), 29A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	10V
(最大) @ id、vgs の rds:	20.7mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:	4V @ 30µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	8.9 nC @ 10 V
vgs (最大):	±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	510 pF @ 40 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	3.5W (Ta), 42W (Tc)
動作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ・ケース:	8-PowerTDFN, 5 Leads

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