IRFHM8337TRPBF-IR

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部品番号 IRFHM8337TRPBF-IR
LIXINC Part # IRFHM8337TRPBF-IR
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IRFHM8337TRPBF-IR PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IRFHM8337TRPBF-IR 仕様

部品番号:IRFHM8337TRPBF-IR
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:HEXFET®
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:12A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):-
(最大) @ id、vgs の rds:12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.35V @ 25µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:8.1 nC @ 4.5 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:755 pF @ 15 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):2.8W (Ta), 25W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
パッケージ・ケース:8-PowerVDFN

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