参考まで
部品番号 | IRFHM8337TRPBF-IR |
LIXINC Part # | IRFHM8337TRPBF-IR |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFHM8337TRPBF-IR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IRFHM8337TRPBF-IR |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 12A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 12.4mOhm @ 12A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.35V @ 25µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 8.1 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 755 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.8W (Ta), 25W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 |
パッケージ・ケース: | 8-PowerVDFN |
IPP60R450E6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 806 注文の詳細 |
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IXFA7N100P-TRL | MOSFET N-CH 1000V 7A TO263 | 1620 注文の詳細 |
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DMTH4005SPS-13 | MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060 | 13346 注文の詳細 |
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FDB029N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 8004885 注文の詳細 |
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FDMS7670 | MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN | 45476831 注文の詳細 |
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NTD5407NG | MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK | 1945 注文の詳細 |
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DMT6012LFV-13 | MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333 | 843 注文の詳細 |
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IXFN50N120SK | SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B | 850 注文の詳細 |
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SI4442DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SO | 962 注文の詳細 |
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DMS3014SFGQ-13 | MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8 | 936 注文の詳細 |
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IXFA14N60P-TRL | MOSFET N-CH 600V 14A TO263 | 1760 注文の詳細 |
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NTD3055L170-001 | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK | 4014 注文の詳細 |
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FQPF3N80C | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | 1012 注文の詳細 |
在庫あり | 10861 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.16000 | $0.16 |
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