参考まで
部品番号 | IXFN50N120SK |
LIXINC Part # | IXFN50N120SK |
メーカー | Wickmann / Littelfuse |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IXFN50N120SK PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IXFN50N120SK |
ブランド: | Wickmann / Littelfuse |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Wickmann / Littelfuse |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 1200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 48A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 20V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 52mOhm @ 40A, 20V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.8V @ 10mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 115 nC @ 20 V |
vgs (最大): | +20V, -5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1895 pF @ 1000 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | - |
動作温度: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Chassis Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-227B |
パッケージ・ケース: | SOT-227-4, miniBLOC |
SI4442DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 15A 8SO | 968 注文の詳細 |
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DMS3014SFGQ-13 | MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8 | 865 注文の詳細 |
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IXFA14N60P-TRL | MOSFET N-CH 600V 14A TO263 | 1793 注文の詳細 |
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NTD3055L170-001 | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK | 4030 注文の詳細 |
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FQPF3N80C | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | 863 注文の詳細 |
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AUIRLR120NTRL | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 3892 注文の詳細 |
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STL25N15F3 | MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT | 4096 注文の詳細 |
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IPT60R150G7XTMA1 | MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF | 2794 注文の詳細 |
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SI3465DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP | 944 注文の詳細 |
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PHT6N06LT,135 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 428006 注文の詳細 |
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DMT12H007LPS-13 | MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8 | 2981 注文の詳細 |
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FQPF17N08 | MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F | 3957 注文の詳細 |
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IRFR220BTM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15618 注文の詳細 |
在庫あり | 10838 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $64.75000 | $64.75 |
10 | $64.75000 | $647.5 |
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