参考まで
| 部品番号 | IRFR220BTM |
| LIXINC Part # | IRFR220BTM |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | IRFR220BTM PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | IRFR220BTM |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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2SK3821-E | MOSFET N-CH 100V 40A SMP | 19579 注文の詳細 |
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CSD18543Q3A | MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON | 14052 注文の詳細 |
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SQD50N04-5M6_GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | 2848 注文の詳細 |
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NDTL01N60ZT3G | MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223 | 828 注文の詳細 |
 |
HUF75344P3_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1258 注文の詳細 |
 |
SIA483DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | 16923 注文の詳細 |
 |
NIF9N05CLT3 | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | 8202 注文の詳細 |
 |
FKI10126 | MOSFET N-CH 100V 41A TO220F | 930 注文の詳細 |
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IPI80N04S2-04 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1140 注文の詳細 |
 |
TK7A50D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 500V 7A TO220SIS | 915 注文の詳細 |
 |
ES6U42T2R | MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT | 807 注文の詳細 |
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BSC018N04LSGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON | 5090 注文の詳細 |
 |
EPC2203 | GANFET N-CH 80V 1.7A DIE | 1235 注文の詳細 |
| 在庫あり | 15650 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.17000 | $0.17 |
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