参考まで
部品番号 | R6011END3TL1 |
LIXINC Part # | R6011END3TL1 |
メーカー | ROHM Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 11A TO252 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | R6011END3TL1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | R6011END3TL1 |
ブランド: | ROHM Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | ROHM Semiconductor |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 670 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 124W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-252 |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPB60R090CFD7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 25A TO263-3-2 | 974 注文の詳細 |
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IRF9Z34SPBF | MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK | 1898 注文の詳細 |
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APT26F120B2 | MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX | 927 注文の詳細 |
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IPP034N03LG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2241 注文の詳細 |
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BSB008NE2LXXUMA1 | MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON | 5913 注文の詳細 |
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SQJ488EP-T2_BE3 | MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8 | 3987 注文の詳細 |
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XP151A12A2MR | MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 | 862 注文の詳細 |
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RSD080P05TL | MOSFET P-CH 45V 8A CPT3 | 805 注文の詳細 |
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APT10045JLL | MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP | 858 注文の詳細 |
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STD12N60DM6 | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | 1042 注文の詳細 |
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DMN3115UDM-7 | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26 | 7289997 注文の詳細 |
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SIHW33N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD | 1193 注文の詳細 |
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IXTP20N65X2 | MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB | 63068 注文の詳細 |
在庫あり | 13400 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.77000 | $2.77 |
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