参考まで
部品番号 | RM2A8N60S4 |
LIXINC Part # | RM2A8N60S4 |
メーカー | Rectron USA |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RM2A8N60S4 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RM2A8N60S4 |
ブランド: | Rectron USA |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rectron USA |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.8A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 100mOhm @ 2.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 715 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-223-3 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
TSM150P04LCS RLG | MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP | 10300 注文の詳細 |
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RM90N30LD | MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252-2 | 1000940 注文の詳細 |
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IRF2804SPBF-IR | HEXFET POWER MOSFET | 942 注文の詳細 |
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IPA65R1K0CEXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220 | 1459 注文の詳細 |
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BUK956R1-100E,127 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 1960 注文の詳細 |
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BSD816SNL6327 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 14623 注文の詳細 |
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IPAN65R650CEXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 | 887 注文の詳細 |
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2SK3801 | MOSFET N-CH 40V 70A TO3P | 872 注文の詳細 |
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AOTF22N50L | MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3F | 810 注文の詳細 |
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SQ2361AEES-T1_GE3 | MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 | 961 注文の詳細 |
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RV2C002UNT2L | MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3 | 877 注文の詳細 |
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NTD3813N-1G | MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A IPAK | 12008 注文の詳細 |
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NVMYS3D5N04CTWG | MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4 | 959 注文の詳細 |
在庫あり | 10934 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.11000 | $0.11 |
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