参考まで
部品番号 | IPI126N10N3 G |
LIXINC Part # | IPI126N10N3 G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPI126N10N3 G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IPI126N10N3 G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 58A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 6V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 12.6mOhm @ 46A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 46µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 35 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.5 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 94W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO262-3 |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
FDC3612 | MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6 | 805 注文の詳細 |
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PMV90ENER | MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB | 3362 注文の詳細 |
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US5U38TR | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 | 3514 注文の詳細 |
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STFW4N150 | MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT | 937 注文の詳細 |
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SISS26LDN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK | 1527 注文の詳細 |
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BUK9Y113-100E,115 | MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56 | 1979 注文の詳細 |
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FQD4P40TM | MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK | 966 注文の詳細 |
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DMTH10H010LPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 986 注文の詳細 |
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DMN100-7-F | MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | 246382 注文の詳細 |
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FQP34N20 | MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3 | 7682907 注文の詳細 |
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IPT059N15N3ATMA1 | MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF | 3310 注文の詳細 |
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DMP3056L-7 | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 | 26014 注文の詳細 |
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UF3C065080B3 | MOSFET N-CH 650V 25A TO263 | 1618 注文の詳細 |
在庫あり | 11890 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.57000 | $0.57 |
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