参考まで
| 部品番号 | UF3C065080B3 |
| LIXINC Part # | UF3C065080B3 |
| メーカー | UnitedSiC |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 25A TO263 |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | UF3C065080B3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | UF3C065080B3 |
| ブランド: | UnitedSiC |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | UnitedSiC |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | N-Channel |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 25A (Tc) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-263 (D2Pak) |
| パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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STL9P3LLH6 | MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT | 900 注文の詳細 |
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SQ3469EV-T1_GE3 | MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP | 1316 注文の詳細 |
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NTD12N10-1G | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK | 996 注文の詳細 |
 |
FDB2532 | MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK | 961 注文の詳細 |
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IXFK26N120P | MOSFET N-CH 1200V 26A TO264AA | 889 注文の詳細 |
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IPP80N03S4L04AKSA1 | MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 | 876 注文の詳細 |
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DMT15H053SSS-13 | MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO | 10892 注文の詳細 |
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SIHB22N60ET1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO263 | 1669 注文の詳細 |
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IRFR220PBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK | 2428 注文の詳細 |
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FDH50N50 | MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3 | 1676 注文の詳細 |
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SSM6K411TU(TE85L,F | MOSFET N-CH 20V 10A UF6 | 1023 注文の詳細 |
 |
NTTFS4H05NTAG | MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN | 2354 注文の詳細 |
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DMT6004LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060 | 17126 注文の詳細 |
| 在庫あり | 11614 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $8.48000 | $8.48 |
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