参考まで
部品番号 | RM35P100T2 |
LIXINC Part # | RM35P100T2 |
メーカー | Rectron USA |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 100V 35A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RM35P100T2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | RM35P100T2 |
ブランド: | Rectron USA |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rectron USA |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 100 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 35A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 50mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 6516 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 104W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
2SK3566(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS | 1028 注文の詳細 |
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DMN3730UFB4-7B | MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN | 70903 注文の詳細 |
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IPB067N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK | 4679 注文の詳細 |
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BUK7Y25-40B/C3115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 11320 注文の詳細 |
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IRFR9010TRPBF | MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK | 2675 注文の詳細 |
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IXTQ30N50L2 | MOSFET N-CH 500V 30A TO3P | 1892 注文の詳細 |
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HUF76407D3ST | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P | 25145 注文の詳細 |
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APT17F100S | MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK | 942 注文の詳細 |
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PH6530AL115 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 5446 注文の詳細 |
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IXTP44N10T | MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB | 954 注文の詳細 |
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SISS26DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S | 25071 注文の詳細 |
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IRFB3206GPBF | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 1333 注文の詳細 |
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PMV37EN,215 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 735842 注文の詳細 |
在庫あり | 10870 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.47000 | $0.47 |
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