参考まで
部品番号 | RMD1N25ES9 |
LIXINC Part # | RMD1N25ES9 |
メーカー | Rectron USA |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | RMD1N25ES9 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | RMD1N25ES9 |
ブランド: | Rectron USA |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rectron USA |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.1A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 2.5V, 4.5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 600mOhm @ 500mA, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.1V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±12V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 30 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 800mW (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SOT-363 |
パッケージ・ケース: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
RTR020P02TL | MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 | 11059 注文の詳細 |
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FQU3N40TU | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK | 3812 注文の詳細 |
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NTMFS4821NT1G | MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN | 287027862 注文の詳細 |
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IRFZ44ESPBF | HEXFET POWER MOSFET | 958 注文の詳細 |
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2SK3800VR | MOSFET N-CH 40V 70A TO220S | 972 注文の詳細 |
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FQI2P25TU | MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK | 1821 注文の詳細 |
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IPB65R150CFDATMA2 | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3 | 907 注文の詳細 |
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IRF443 | MOSFET N-CH 450V 4A TO204AE | 971 注文の詳細 |
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AUIRL3705Z | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | 1622 注文の詳細 |
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AOTF66616L | MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F | 2904 注文の詳細 |
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SSM3K324R,LF | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F | 3962 注文の詳細 |
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NTMFS4936NT3G | MOSFET N-CH 30V 11.6A/79A 5DFN | 5820 注文の詳細 |
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RQ5A020ZPTL | MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3 | 4734 注文の詳細 |
在庫あり | 10930 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.06000 | $0.06 |
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